Samsung показала прототип zHBM, память прямо на ИИ-ускорителях, до 8 раз быстрее HBM5
Samsung Electronics 4, 5 августа 2026 года на конференции FMS 2026 (Future of Memory and Storage) в Калифорнии впервые показала макеты двух технологий 3D-памяти следующего поколения, zHBM и zNAND-O. Ключевую презентацию компания провела 4 августа по местному времени, а сами макеты продемонстрировала 5 августа. Обе технологии Samsung связывает с усилением своих позиций на быстрорастущем рынке искусственного интеллекта.
zHBM, архитектура, при которой чипы высокоскоростной памяти HBM (High Bandwidth Memory) устанавливаются вертикально, по оси Z, прямо поверх кристалла ИИ-ускорителя (в оригинале, xPU), а не размещаются вокруг него, как в привычных решениях. По словам Samsung, такое размещение сокращает расстояние, которое данные проходят между памятью и процессором, повышая пропускную способность и энергоэффективность, необходимые для обучения и инференса больших ИИ-моделей; обычная архитектура, где HBM стоит вокруг ускорителя, по заявлению компании, уже упирается в ограничения производительности, которых требует инфраструктура следующего поколения. Согласно Samsung, zHBM даёт прирост производительности обработки данных до 8 раз по сравнению с восьмым поколением памяти HBM (HBM5) и втрое более высокую производительность на ватт; тепловое сопротивление при этом снижено более чем наполовину, что повышает и стабильность системы, и энергоэффективность.
Samsung описывает zHBM как настраиваемое семейство продуктов 3D-памяти: архитектура позволяет заказчикам добавлять блоки полупроводниковой интеллектуальной собственности (IP) в межслойный уровень между памятью и ускорителем, под конкретную задачу можно расширить объём памяти или оптимизировать производительность ускорителя. Компания заявила о планах тесно работать с заказчиками над совместной оптимизацией процессоров и систем памяти, чтобы полностью раскрыть потенциал zHBM.
Также представлен zNAND-O, разрабатываемое семейство высокопроизводительной NAND-флеш-памяти следующего поколения, которое сочетает фирменную вертикальную архитектуру V-NAND с технологией сквозных кремниевых переходов (Through-Silicon Via, TSV), той же, что используется в HBM для соединения сложенных друг на друга кристаллов DRAM. По структуре zNAND-O похож на High Bandwidth Flash (HBF), технологию, которую параллельно разрабатывают SK Hynix и Sandisk. Буква «O» в названии отсылает к ИИ-приложениям на устройстве (on-device). Samsung показала 3D-упакованные конфигурации V-NAND с четырьмя и восемью слоями, они должны обеспечивать высокую эффективность использования пространства, увеличенную пропускную способность чтения и более быстрый отклик. По словам компании, технология хорошо подходит для сценариев, где данные нужно обрабатывать в реальном времени и в больших объёмах.
На той же презентации Samsung впервые показала технологию V10 BV-NAND, она насчитывает более 400 слоёв и повышает и производительность, и энергоэффективность по сравнению с предыдущим поколением. Продемонстрированный макет zNAND-O был собран именно на платформе V10 NAND. Технология разделяет массив ячеек NAND и периферийную схему на разные пластины (wafer), а затем соединяет их вертикально с помощью технологии сращивания пластин (wafer bonding), которая обеспечивает трёхмерную интеграцию сразу нескольких пластин. Дополнительно Samsung применяет трёхстековую архитектуру: ячейки V-NAND изготавливаются тремя отдельными стеками, которые затем соединяются по вертикали. По данным компании, это повышает плотность памяти примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9 при том же занимаемом пространстве, а показатели чтения, записи и ввода-вывода тоже выросли.
На стенде Samsung на FMS 2026 было показано более 30 продуктов памяти на базе DRAM и NAND. Среди них, вычислительная платформа для ИИ следующего поколения на основе HBM4E, образцы пластин и макет HBM5 с технологией Heat Path Block (HPB), которая добавляет вертикальные каналы отвода тепла по бокам ядер HBM и улучшает тепловой режим. Компания также показала LPDDR5X-PIM, память, сочетающую энергоэффективную LPDDR5X DRAM с функцией вычислений в памяти (Processing-in-Memory, PIM); Samsung назвала это первой в мире реализацией подобного рода, которая обеспечивает более эффективное перемещение данных и энергопотребление. Отдельно были показаны накопители для ИИ-нагрузок: PM1763, корпоративный SSD следующего поколения для быстрого чтения и эффективной обработки данных, и BM1773, сверхъёмкий корпоративный SSD для больших обучающих датасетов масштабных ИИ-моделей.
Samsung подчёркивает, что остаётся единственным в мире интегрированным производителем устройств (IDM), способным закрыть весь цикл, память, логические полупроводники, контрактное производство (foundry) и упаковку, в рамках одной компании. По словам компании, это позволяет вести заказчика от проектирования продукта до массового производства, сокращая циклы разработки и одновременно оптимизируя производительность и энергоэффективность, и создавать кастомизированные ИИ-полупроводниковые решения под конкретные требования заказчика.
Ключевые факты
- Samsung показала прототип zHBM, архитектуры, в которой память HBM устанавливается вертикально прямо на кристалл ИИ-ускорителя, а не вокруг него, как в обычных решениях; по заявлению компании, это даёт прирост производительности обработки данных до 8 раз и втрое более высокую производительность на ватт по сравнению с HBM5, а тепловое сопротивление снижено более чем наполовину.
- Компания также показала zNAND-O, разрабатываемое семейство NAND-флеш-памяти для ИИ-приложений на устройстве, построенное на технологии сквозных кремниевых переходов (TSV, как в HBM) и по структуре похожее на High Bandwidth Flash (HBF), которую параллельно разрабатывают SK Hynix и Sandisk; показаны 3D-конфигурации с четырьмя и восемью слоями.
- На той же презентации Samsung впервые показала технологию V10 BV-NAND, более 400 слоёв; за счёт трёхстековой архитектуры плотность памяти увеличивается примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9.
- На стенде на конференции FMS 2026 в Калифорнии Samsung выставила более 30 продуктов памяти, включая вычислительную платформу на HBM4E, макет HBM5 с технологией отвода тепла Heat Path Block (HPB) и LPDDR5X-PIM, по словам компании, первую в мире память такого рода с вычислениями внутри чипа.
- Ни для zHBM, ни для zNAND-O источник не называет сроков выхода в серию или цены; заказчика, который уже тестирует эти технологии, в материале тоже нет, Samsung говорит лишь о планах совместной работы с клиентами в будущем.
Почему это важно
zHBM, не косметическое улучшение, а смена самого способа собирать память и ИИ-ускоритель: вместо привычного размещения чипов HBM вокруг кристалла ускорителя Samsung ставит их вертикально прямо поверх него, по оси Z. Расстояние, которое данные проходят между памятью и процессором, один из главных ограничителей производительности и энергопотребления при обучении и инференсе больших ИИ-моделей, и именно на него направлена новая архитектура. По заявлению Samsung, это даёт прирост производительности обработки данных до 8 раз и втрое более высокую производительность на ватт по сравнению с восьмым поколением HBM (HBM5), а тепловое сопротивление снижено более чем наполовину по сравнению с обычной архитектурой. Одновременно Samsung показала связанную технологию хранения, zNAND-O, по структуре близкую к High Bandwidth Flash (HBF), которую параллельно разрабатывают SK Hynix и Sandisk: это значит, что к более тесной интеграции памяти и вычислений для ИИ-нагрузок одновременно движется вся отрасль, а не только Samsung.
Кому это важно
В первую очередь, разработчикам ИИ-ускорителей и дата-центровым платформам, для которых Samsung предлагает встраивать в межслойный уровень zHBM собственные блоки интеллектуальной собственности (IP), подстраивая память под конкретную рабочую нагрузку. Дальше, конкурентам на рынке памяти: SK Hynix и Sandisk, которые параллельно разрабатывают собственную технологию High Bandwidth Flash (HBF) со структурой, похожей на zNAND-O Samsung, и другим производителям, которые следят за темпом конкурентов в гонке 3D-упаковки памяти. И наконец, тем, кто оценивает позицию самой Samsung на рынке: компания подчёркивает, что остаётся единственным интегрированным производителем устройств (IDM), способным закрыть весь цикл, от памяти и логических полупроводников до контрактного производства и упаковки.
Как это применить
Практического шага «купить прямо сейчас» материал не даёт: и zHBM, и zNAND-O показаны как макеты и прототипы, а zNAND-O источник прямо называет технологией, которая «сейчас находится в разработке». Единственный обозначенный в источнике путь для заказчиков, прямая работа с Samsung: компания заявила, что намерена тесно сотрудничать с клиентами над совместной оптимизацией ИИ-процессоров и систем памяти, а архитектура zHBM допускает кастомизацию, заказчик может добавить в межслойный уровень свои IP-блоки, расширив объём памяти или подстроив ускоритель под конкретную задачу. Даты выхода в серию, цены или названного заказчика, который уже тестирует технологию, источник не приводит.
Можно ли доверять
Цифры, до 8 раз выше производительность, втрое выше эффективность на ватт, тепловое сопротивление снижено более чем наполовину, рост плотности памяти V10 BV-NAND примерно на 58%, это собственные заявления Samsung с презентации на отраслевой конференции FMS 2026, а не результаты независимого тестирования; материал не приводит исходные показатели самой HBM5, с которой сравнивается zHBM, поэтому проверить множители по одной статье нельзя. В тексте нет ни одного названного по имени сотрудника Samsung, каждое заявление источник приписывает обезличенно «компании» или «Samsung», что типично для материала с презентации, но не заменяет независимую проверку. Сам факт показа макетов на публичной отраслевой конференции сомнений не вызывает, под вопросом только то, подтвердятся ли названные цифры на готовых продуктах.
Риски и подводные камни
Обе технологии, на стадии макета и прототипа, а не готового продукта: источник не называет ни срока выхода в серийное производство, ни цены, ни для zHBM, ни для zNAND-O, который прямо назван технологией «в разработке». Ни один заказчик, уже тестирующий или внедряющий эти технологии, в материале не упомянут, Samsung говорит только о планах совместной работы с клиентами в будущем, а не о текущих контрактах. Вертикальная укладка памяти прямо на кристалл ИИ-ускорителя физически приближает источник тепла к памяти, и хотя Samsung заявляет о снижении теплового сопротивления, независимого подтверждения того, что тепловой режим системы останется управляемым при промышленной нагрузке, источник не даёт. И у Samsung есть прямые конкуренты с похожими архитектурами, SK Hynix и Sandisk развивают собственную High Bandwidth Flash (HBF), так что вопрос, чей подход станет отраслевым стандартом, пока открыт.
«Мы можем предоставлять интегрированные услуги от этапа проектирования продукта до массового производства, помогая заказчикам сокращать циклы разработки при оптимизации производительности и энергоэффективности. Это позволяет создавать кастомизированные ИИ-полупроводниковые решения под требования заказчика.»
— Samsung, в заявлении